Исследователи из компаний AMD и IBM совершили очередную революцию в процессоростроении. Ученым удалось достичь рекорда в технологии производства чипов: размер полупроводниковых структур уменьшен до небывалых 16 нанометров.
На заводе AMD Fab 36 в городе Дрезден на кремниевую пластину размером 22 х 33 мм нанесли транзисторы стандартным 193-нм иммерсионным сканером. В научном центре IBM Колледжка Нанотехнологий (CNSE, College of Nanoscale Science and Engineering) на заготовку добавили первый слой металлических соединений между транзисторами. Для этого использовался литографический сканер ASML EUV (EUV lithography, Extreme UltraViolet lithography - субмикронная ультрафиолетовая литография, субмикронная технология EUV для изготовления микросхем).
EUV-литография обсуждается в качестве методики производства чипов нового поколения уже почти два десятилетия. В 1997 году Intel, Motorola и AMD создали совместное предприятие с целью разработки технологии EUV-литографии. Однако DUV-литография, которая, как считалось, не сможет опуститься ниже планки в 100 нм, используется и по сей день, производя чипы по техпроцессу 45 нм (вероятно, есть запас до 22 нм). Тем не менее, раньше или позже, DUV-литография исчерпает свои возможности и производителям чипов придется перейти на EUV, что, скорее всего, потребуется в производстве 16-нм схем (ожидаются в 2013 году).
